晶体管 RN4987FE,LF(CT 双极 (BJT)

RN4987FE,LF(CT介绍：

描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商标准提前期 16 周

详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -

包装    带卷（TR）

零件状态 在售

晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（值） 100mA

电压 - 集射极击穿（值） 50V

电阻器 - 基底（R1） 10 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2） 47 千欧

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） 80 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值） 300mV @ 250μA，5mA

电流 - 集电极截止（值） 500nA

频率 - 跃迁 250MHz，200MHz

功率 - 值 100mW

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SOT-563，SOT-666

供应商器件封装 ES6

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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晶体管在使用上有许多要注意的额定值，例如电压、电流、功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。