晶体管 - FET FDMS7558S MOSFET - 单

FDMS7558S介绍：

描述 MOSFET N-CH 25V 32A POWER56

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） 8-PQFN（5x6）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Ta），49A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.25 毫欧 @ 32A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 119nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 7770pF @ 13V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta），89W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-PQFN（5x6）

封装/外壳 8-PowerTDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料。