晶体管NTD24N06L FET

NTD24N06L介绍： 
类别 分立半导体产品 
晶体管 - FET，MOSFET - 单 
制造商 ON Semiconductor 
系列 - 
包装 ? 带卷（TR） ? 
零件状态 在售 
FET 类型 N 沟道 
技术 MOSFET（金属氧化物） 
漏源电压（Vdss） 60V 
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Ta） 
驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V 
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 250µA 
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 32nC @ 5V 
Vgs（值） ±15V 
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1140pF @ 25V 
FET 功能 - 
功率耗散（值） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） 
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 45 毫欧 @ 10A，5V 
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） 
安装类型 表面贴装 
供应商器件封装 DPAK 
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。