制造商 Infineon Technologies制造商零件编号 IRF7478TRPBF描述 MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）制造商标准提前期 26 周详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® 包装 ? 带卷（TR） ? 零件状态 在售 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A（Ta） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 31nC @ 4.5V Vgs（值） ±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1740pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散（值） 2.5W（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 26 毫欧 @ 4.2A，10V 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 8-SO 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）安富利（深圳）商贸有限公司，的配单。一手货源!价格优势！现货库存！原装！放心购买！本公司为一般纳税人，可开17%增值税票！欢迎垂询！
