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制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STFW6N120K3
描述 MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 通孔 N 沟道 1200V 6A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH3™
包装 ? 管件 ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 34nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1050pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(值) 63W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 2.4 欧姆 @ 2.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3PF
封装/外壳 TO-3P-3 整包
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