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制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFR2405TRLPBF
描述
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
制造商标准提前期
26 周
详细描述
表面贴装 N 沟道 55V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
系列
HEXFET?
包装 ?
带卷(TR) ?
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
56A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)
110nC @ 10V
Vgs(值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)
2430pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(值)
110W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)
16 毫欧 @ 34A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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