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制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号
RN1601(TE85L,F)
描述
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）
1（无限）
详细描述
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
系列
-
包装 ?
带卷（TR） ?
零件状态
在售
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（值）
100mA
电压 - 集射极击穿（值）
50V
电阻器 - 基底（R1）
4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）
4.7 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值）
30 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值）
300mV @ 250μA，5mA
电流 - 集电极截止（值）
100nA（ICBO）
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 值
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-74，SOT-457
供应商器件封装
SM6
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