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热销产品SQM120N04-1M9_GE3 集成电路IC

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详细信息
【产品名称】
热销产品SQM120N04-1M9_GE3 集成电路IC
【产品型号】
SQM120N04-1M9_GE3
【产品类别】
集成电路IC- 内存
【产品规格】
【产品品牌】
【生产厂家】
【产品说明】
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SQM120N04-1M9_GE3
描述MOSFET N-CH 40V 120A TO263
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）1（无限）
制造商标准提前期46 周
详细描述表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 300W（Tc） TO-263（D2Pak）

系列TrenchFET®
包装 ?带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）120A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值）270nC @ 10V
Vgs（值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）8790pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（值）300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）1.9 毫欧 @ 30A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装TO-263（D2Pak）
封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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