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制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF530NPBF
描述MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)1(无限)
制造商标准提前期20 周
详细描述通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
类别分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
包装 ?管件 ?
零件状态在售
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)17A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 10V
Vgs(值)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds920pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(值)70W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)90 毫欧 @ 9A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
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