代理商原装FQPF10N60C on分立半导体产品

Digi-Key 零件编号 FQPF10N60C-ND

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制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FQPF10N60C

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 不適用於新設計

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.5A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 50W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 730 毫欧 @ 4.75A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220F

封装/外壳 TO-220-3 整包

　三星是的存储芯片厂商，其DRAM产品市场占比约48%，NAND Flash产品市场占比约35.4%。DRAM、NAND Flash是存储芯片两大主力产品，前者主要用于内存，后者用于存储数据的闪存。两类产品在手机、电脑、服务器市场广泛应用。根据分析机构中国闪存市场（CFM）提供数据，2017年，存储芯片市场规模950亿美元，其中DRAM约503.5亿美元，NAND约400亿美元。