晶体管 PH6325L,115 MOSFET - 单

PH6325L,115介绍：

描述 MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 78.7A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 TrenchMOS™

包装     带卷（TR）  

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 78.7A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 6.3 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 13.3nC @ 4.5V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1871pF @ 12V

FET 功能 -

功率耗散（值） 62.5W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳 SC-100，SOT-669

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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