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    晶体管 HGTG11N120CND MOSFET - 单


    来源:晶体管     发布时间:2018/9/29 9:22:50   浏览点击数:219

    HGTG11N120CND介绍:

    描述 IGBT 1200V 43A 298W TO247

    详细描述 IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247

    类别 分立半导体产品

    晶体管 - UGBT,MOSFET - 单

    制造商 ON Semiconductor

    系列 -

    包装    管件  

    零件状态 不適用於新設計

    IGBT 类型 NPT

    电压 - 集射极击穿(值) 1200V

    电流 - 集电极(Ic)(值) 43A

    脉冲电流 - 集电极 (Icm) 80A

    不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.4V @ 15V,11A

    功率 - 值 298W

    开关能量 950μJ(开),1.3mJ(关)

    输入类型 标准

    栅极电荷 100nC

    25°C 时 Td(开/关)值 23ns/180ns

    测试条件 960V,11A,10 欧姆,15V

    反向恢复时间(trr) 70ns

    工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型 通孔

    封装/外壳 TO-247-3

    供应商器件封装 TO-247

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