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NSVMMUN2232LT1G介绍：
描述 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
制造商标准提前期 36 周
详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（值） 100mA
电压 - 集射极击穿（值） 50V
电阻器 - 基底（R1） 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2） 4.7 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） 15 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值） 250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（值） 500nA
功率 - 值 246mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
基本零件编号 MMUN22**L
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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