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    存储器 MT46V16M16P-5B:M 集成电路


    来源:存储器     发布时间:2018/9/19 10:03:37   浏览点击数:223

    MT46V16M16P-5B:M介绍:

    描述 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

    详细描述 SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP

    类别 集成电路(IC)

    存储器

    制造商 Micron Technology Inc.

    系列 -

    包装    托盘

    零件状态 在售

    存储器类型 易失

    存储器格式 DRAM

    技术 SDRAM - DDR

    存储容量 256Mb (16M x 16)

    时钟频率 200MHz

    写周期时间 - 字,页 15ns

    访问时间 700ps

    存储器接口 并联

    电压 - 电源 2.5 V ~ 2.7 V

    工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

    安装类型 表面贴装

    封装/外壳 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)

    供应商器件封装 66-TSOP

    基本零件编号 MT46V16M16

    安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


    公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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    日常使用的十进制数必须转换成等值的二进制数才能存入存储器中。计算机中处理的各种字符,例如英文字母、运算符号等,也要转换成二进制代码才能存储和操作。


    Micron是创新内存和存储解决方案的行业。通过其品牌Micron®、Crucial®及Ballistix®,该公司包括DRAM、NAND、NOR闪存和3D XPoint™内存等在内的广泛高性能内存和存储技术产品组合正在改变世界利用信息丰富人们生活的方式。


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公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦; IGBT,可控硅,整流桥模块:仙童(Fairchid),MITSUBISHI (三菱),东芝,FUJI富士,SEMIKRON西门康,,三社,三垦, IXYS,IR,EUPEC,. ARTESYN,SANREX,COSEL,SANREX,SANYO 电阻:AVX、VISHAY、国巨、muRata村田、厚生、旺全、Panasonic松下、ROHM罗姆、TDK、风华; 电容:AVX、KEMET基美、VISHAY威世、YAGEO国巨、SAMSUNG三星、Skywell泽天、风华高科; 电感: VISHAY威世, 、muRata村田、YAGEO国巨、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕 、Sunlord顺络、AEM、 AVX、Panasonic; 晶振:muRata村田、EPSON、Sunlord顺络、Kyocera京瓷、台晶TXC、TDK、泰晶; 其他:熔断器(LITTELFUSE力特,CONQUER功得,HOLLY好利),连接器(PHOENIX菲尼克斯,PRONIC普尼克,UNICONN优尼康)接线端子(CNNT康奈特),继电器(Panasonic松下,欧姆龙OMRON,松乐,港宏等),杜邦线,短路帽,门磁、干簧管、浮球开关,线材(HDMI线,VGA线,1394线,DVI线,音频视频线等其它线材)
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