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    晶体管 HN1B04FU-GR 双极 (BJT) - 阵列


    来源:晶体管     发布时间:2018/9/11 9:52:52   浏览点击数:218

    HN1B04FU-GR介绍:

    描述 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

    制造商标准提前期 12 周

    详细描述 Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6

    类别 分立半导体产品

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

    制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

    系列 -

    包装   带卷(TR)

    零件状态 在售

    晶体管类型 NPN,PNP

    电流 - 集电极(Ic)(值) 150mA

    电压 - 集射极击穿(值) 50V

    不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(值) 250mV @ 10mA,100mA

    电流 - 集电极截止(值) 100nA(ICBO)

    不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(值) 200 @ 2mA,6V

    功率 - 值 200mW

    频率 - 跃迁 150MHz

    工作温度 125°C(TJ)

    安装类型 表面贴装

    封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

    供应商器件封装 US6

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    比电子管可靠100倍,耐冲击、耐振动,这都是电子管所无法比拟的。另外,晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密,但工序简便,有利于提高元器件的安装密度。


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经营业务
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦; IGBT,可控硅,整流桥模块:仙童(Fairchid),MITSUBISHI (三菱),东芝,FUJI富士,SEMIKRON西门康,,三社,三垦, IXYS,IR,EUPEC,. ARTESYN,SANREX,COSEL,SANREX,SANYO 电阻:AVX、VISHAY、国巨、muRata村田、厚生、旺全、Panasonic松下、ROHM罗姆、TDK、风华; 电容:AVX、KEMET基美、VISHAY威世、YAGEO国巨、SAMSUNG三星、Skywell泽天、风华高科; 电感: VISHAY威世, 、muRata村田、YAGEO国巨、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕 、Sunlord顺络、AEM、 AVX、Panasonic; 晶振:muRata村田、EPSON、Sunlord顺络、Kyocera京瓷、台晶TXC、TDK、泰晶; 其他:熔断器(LITTELFUSE力特,CONQUER功得,HOLLY好利),连接器(PHOENIX菲尼克斯,PRONIC普尼克,UNICONN优尼康)接线端子(CNNT康奈特),继电器(Panasonic松下,欧姆龙OMRON,松乐,港宏等),杜邦线,短路帽,门磁、干簧管、浮球开关,线材(HDMI线,VGA线,1394线,DVI线,音频视频线等其它线材)
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