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    晶体管 ULN2066B 双极 (BJT) - 阵列


    来源: 晶体管     发布时间:2018/9/3 10:27:29   浏览点击数:222

    ULN2066B介绍:

    描述 TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

    制造商标准提前期 38 周

    详细描述 Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)

    类别 分立半导体产品

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

    制造商 STMicroelectronics

    系列 -

    包装   管件  

    零件状态 在售

    晶体管类型 4 NPN 达林顿(双)

    电流 - 集电极(Ic)(值) 1.75A

    电压 - 集射极击穿(值) 50V

    不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(值) 1.4V @ 2mA,1.25A

    电流 - 集电极截止(值) -

    不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(值) -

    功率 - 值 1W

    频率 - 跃迁 -

    工作温度 -20°C ~ 85°C(TA)

    安装类型 通孔

    封装/外壳 16-PowerDIP(0.300",7.62mm)

    供应商器件封装 16-PowerDIP(20x7.10)

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