制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STB15N65M5
描述
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
制造商标准提前期
42 周
详细描述
表面贴装 N 沟道 650V 11A(Tc) 85W(Tc) D2PAK
系列
MDmesh? V
包装 ?
带卷(TR) ?
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)
22nC @ 10V
Vgs(值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)
810pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(值)
85W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)
340 毫欧 @ 5.5A,10V
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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