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制造商
Rohm Semiconductor
制造商零件编号
R5007ANX
描述
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）
1（无限）
详细描述
通孔 N 沟道 500V 7A（Ta） 40W（Tc） TO-220FM
系列
-
包装 ?
散装 ?
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
13nC @ 10V
Vgs（值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（值）
40W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
1.05 欧姆 @ 3.5A，10V
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FM
封装/外壳
TO-220-3 整包
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