厂家直销热卖RQ3E100BNTB集成电路IC

制造商

Rohm Semiconductor 
 

制造商零件编号
 
RQ3E100BNTB
 

描述
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 

湿气敏感性等级（MSL）
1（无限）

制造商标准提前期
40 周  

详细描述
 表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3） 

系列
-  

包装 ?
带卷（TR） ?  

零件状态
在售  

FET 类型
N 沟道  

技术
MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）
30V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A（Ta）  

驱动电压（ Rds On， Rds On）
4.5V，10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
2.5V @ 1mA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
22nC @ 10V  

Vgs（值）
±20V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
1100pF @ 15V  

FET 功能
-  

功率耗散（值）
2W（Ta）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
10.4 毫欧 @ 10A，10V  

工作温度
150°C（TJ）  

安装类型
表面贴装  

供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）  

封装/外壳
8-PowerVDFN 

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