价格优惠 STP24NM65N 集成电路IC

来源：发布时间：2018/3/2 16:33:02 浏览点击数：168

制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STP24NM65N

描述 MOSFET N-CH 650V 19A TO-220

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB

系列 MDmesh™ II

包装 ? 管件 ?

零件状态停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值） 70nC @ 10V

Vgs（值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2500pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（值） 160W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

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