价格优惠 SQJ962EP-T1-GE3-ND 集成电路IC

来源：发布时间：2018/3/2 15:53:55 浏览点击数：161

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SQJ962EP-T1-GE3

描述 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

系列汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态停產

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 60 毫欧 @ 4.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值） 14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 475pF @ 25V

功率 - 值 25W

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双

供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 Dual

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TI近日推出采用CapTIvate™技术的MSP430™微控制器（MCU）系列产品，为成本敏感型应用带来电容式感应功能。

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