晶体管 SSM6N48FU MOSFET - 阵列

SSM6N48FU介绍：

描述 X34 PB-F SOT-363 S-MOS (LF) TRAN

详细描述 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 100mA（Ta） 300mW 表面贴装 US6

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 U-MOSIII

包装    带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 标准

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.2 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 15.1pF @ 3V

功率 - 值 300mW

工作温度 150°C

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装 US6

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

东芝(Toshiba)，是日本的半导体制造商，也是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团。公司创立于1875年7月，原名东京芝浦电气株式会社，1939年由东京电气株式会社和芝浦制作所合并而成，业务领域包括数码产品、电子元器件、社会基础设备、家电等。