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    薄膜电容器 DME1W3P3K-F

    来源:薄膜电容器     发布时间:2018/6/22 10:02:29   浏览点击数:217

    DME1W3P3K-F介绍:

    描述 CAP FILM 3.3UF 10% 100VDC RADIAL

    对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

    制造商标准提前期 20 周

    详细描述 3.3μF 薄膜电容器 65V 100V 聚酯,金属化 径向

    类别 电容器

    薄膜电容器

    制造商 Cornell Dubilier Electronics (CDE)

    系列 DME

    包装 ? 散装 ?

    零件状态 在售

    电容 3.3μF

    容差 ±10%

    额定电压 - AC 65V

    额定电压 - DC 100V

    介电材料 聚酯,金属化

    工作温度 -55°C ~ 125°C

    安装类型 通孔

    封装/外壳 径向

    大小/尺寸 0.728" 长 x 0.354" 宽(18.50mm x 9.00mm)

    高度 - 安装(值) 0.709"(18.00mm)

    端接 PC 引脚

    引线间距 0.591"(15.00mm)

    应用 通用

    等级 -

    特性 -

    安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


    公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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     但是在音响器材中使用最频繁的,当属电解电容器和薄膜(Film)电容器。而薄膜电容器则广泛被使用在模拟信号的交连,电源噪声的旁路(反交连)等地方。薄膜电容器是以金属箔当电极。


经营业务
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦; IGBT,可控硅,整流桥模块:仙童(Fairchid),MITSUBISHI (三菱),东芝,FUJI富士,SEMIKRON西门康,,三社,三垦, IXYS,IR,EUPEC,. ARTESYN,SANREX,COSEL,SANREX,SANYO 电阻:AVX、VISHAY、国巨、muRata村田、厚生、旺全、Panasonic松下、ROHM罗姆、TDK、风华; 电容:AVX、KEMET基美、VISHAY威世、YAGEO国巨、SAMSUNG三星、Skywell泽天、风华高科; 电感: VISHAY威世, 、muRata村田、YAGEO国巨、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕 、Sunlord顺络、AEM、 AVX、Panasonic; 晶振:muRata村田、EPSON、Sunlord顺络、Kyocera京瓷、台晶TXC、TDK、泰晶; 其他:熔断器(LITTELFUSE力特,CONQUER功得,HOLLY好利),连接器(PHOENIX菲尼克斯,PRONIC普尼克,UNICONN优尼康)接线端子(CNNT康奈特),继电器(Panasonic松下,欧姆龙OMRON,松乐,港宏等),杜邦线,短路帽,门磁、干簧管、浮球开关,线材(HDMI线,VGA线,1394线,DVI线,音频视频线等其它线材)
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