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    SDRAM MT47H64M16NF-25E:M 存储器

    来源: 存储器    发布时间:2018/4/8 11:59:47   浏览点击数:168

    MT47H64M16NF-25E:M介绍;

    描述 IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84FBGA

    对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)

    详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(8x12.5)

    类别 集成电路(IC)

    存储器

    制造商 Micron Technology Inc.

    系列 -

    包装 ? 散装 ?

    零件状态 在售

    存储器类型 易失

    存储器格式 DRAM

    技术 SDRAM - DDR2

    存储容量 1Gb (64M x 16)

    时钟频率 400MHz

    写周期时间 - 字,页 15ns

    访问时间 400ps

    存储器接口 并联

    电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V

    工作温度 0°C ~ 85°C(TC)

    安装类型 表面贴装

    封装/外壳 84-TFBGA

    供应商器件封装 84-FBGA(8x12.5)

    基本零件编号 MT47H64M16


    安富利(深圳)商贸有限公司介绍;

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    以存储体(大量存储单元组成的阵列)为,加上必要的地址译码、读写控制电路,即为存储集成电路;再加上必要的I/O接口和一些额外的电路如存取策略管理,则形成存储芯片,比如手机中常用的存储芯片。得益于新的IC制造或芯片封装工艺,现在已经有能力把DRAM和FLASH存储单元集成在单芯片里。存储芯片再与控制芯片(负责复杂的存取控制、存储管理、加密、与其他器件的配合等)及时钟、电源等必要的组件集成在电路板上构成整机,就是一个存储产品,如U盘。从存储单元(晶体管阵列)到存储集成电路再到存储设备,都是为了实现信息的存储,区别是层次的不同。


经营业务
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