厂家直销STFW6N120K3分立半导体产品

来源：STFW6N120K3 发布时间：2018/3/15 9:37:29 浏览点击数：178

制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STFW6N120K3
描述 MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述通孔 N 沟道 1200V 6A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH3™
包装 ? 管件 ?
零件状态停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值） 34nC @ 10V
Vgs（值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1050pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（值） 63W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装 TO-3PF
封装/外壳 TO-3P-3 整包
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