Digi-Key 零件编号 497-3523-2-ND现有数量 28,000 可立即发货 制造商 STMicroelectronics制造商零件编号 STN1NK60Z类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics 系列 SuperMESH™ 包装 ? 带卷(TR) ? 零件状态 在售 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc) 驱动电压( Rds On, Rds On) 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4.5V @ 50μA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V Vgs(值) ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 94pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(值) 3.3W(Tc) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 15 欧姆 @ 400mA,10V 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 SOT-223 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Digi-Key 零件编号 497-3523-2-ND
现有数量 28,000
可立即发货
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STN1NK60Z
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4.5V @ 50μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 94pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 3.3W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 15 欧姆 @ 400mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA