Digi-Key 零件编号 FQPF33N10LFS-ND现有数量 5,528 可立即发货 制造商 ON Semiconductor制造商零件编号 FQPF33N10L类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® 包装 ? 管件 ? 零件状态 在售 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc) 驱动电压( Rds On, Rds On) 5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 250μA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 5V Vgs(值) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1630pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(值) 41W(Tc) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 52 毫欧 @ 9A,10V 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-220F 封装/外壳 TO-220-3 整包
Digi-Key 零件编号 FQPF33N10LFS-ND
现有数量 5,528
可立即发货
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FQPF33N10L
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 5V
Vgs(值) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1630pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 41W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 52 毫欧 @ 9A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F
封装/外壳 TO-220-3 整包