Digi-Key 零件编号 FQPF2N40-ND制造商 ON Semiconductor制造商零件编号 FQPF2N40类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® 包装 ? 管件 ? 零件状态 停產 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Tc) 驱动电压( Rds On, Rds On) 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V Vgs(值) ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(值) 16W(Tc) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 5.8 欧姆 @ 550mA,10V 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-220F 封装/外壳 TO-220-3 整包
Digi-Key 零件编号 FQPF2N40-ND
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FQPF2N40
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 16W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 5.8 欧姆 @ 550mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F
封装/外壳 TO-220-3 整包